在半導體製程技術的前沿，英特爾正穩步推進其“四年五個製程節點”計劃，加速實現在2025年推出尖端的製程節點Intel 18A。

今天，我們將介紹英特爾的兩項突破性技術：RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背麵供電技術。這兩項技術首次成功集成於Intel 20A製程節點，也將用於Intel 18A。

RibbonFET：柵極“環抱”晶體管

通過RibbonFET晶體管，英特爾實現了全環繞柵極（GAA）架構。在晶體管中，柵極扮演著關鍵的開關角色，控製著電流的流動。RibbonFET使得柵極能夠全麵環繞帶狀的晶體管溝道，這一創新帶來了三大優勢：

•節約空間：晶體管溝道的垂直堆疊，相較於傳統的水平堆疊，大幅減少了空間占用，有助於晶體管的進一步微縮；

RibbonFET晶體管與FinFET晶體管（鰭式場效應晶體管）的對比示意圖

•性能提升：柵極的全麵環繞增強了對電流的控製，無論在何種電壓下，都能提供更強的驅動電流，讓晶體管開關的速度更快，從而提升晶體管性能；

•靈活設計：晶體管溝道可以根據不同的應用需求進行寬度調整，為芯片設計帶來了更高的靈活性。

PowerVia：從“披薩”到“三明治”的轉變

PowerVia背麵供電技術改變了芯片布線的邏輯。

傳統上，計算機芯片的製造過程類似於製作“披薩”，自下而上，先製造晶體管，再構建線路層，同時用於互連和供電。然而，隨著晶體管尺寸的不斷縮小，線路層變得越來越“擁擠”，複雜的布線成為了性能提升的瓶頸。

英特爾通過PowerVia實現了電源線與互連線的分離。首先製造晶體管，然後添加互連層，最後將晶圓翻轉並打磨，以便在晶體管的底層接上電源線。形象地說，這一過程讓芯片製造更像是製作“三明治”。

PowerVia革新了晶體管的布線方式

背麵供電技術讓晶體管的供電路徑變得更加直接，有效改善了供電，減少了信號串擾，降低了功耗。測試顯示，PowerVia能夠將平台電壓降低優化30%。

同時，這種新的供電方式還讓芯片內部的空間得到了更高效的利用，使得芯片設計公司能夠在不犧牲資源的前提下提高晶體管密度，顯著提升性能。測試結果表明，采用PowerVia技術可以實現6%的頻率增益和超過90%的標準單元利用率。

Intel 20A和Intel 18A的技術演進

半導體技術的創新是一個不斷迭代的過程。在Intel 20A製程節點上，英特爾首次成功集成了RibbonFET和PowerVia這兩項突破性技術。基於Intel 20A的技術實踐，這兩項技術將被應用於采用Intel 18A製程節點的首批產品：AI PC客戶端處理器Panther Lake和服務器處理器Clearwater Forest。目前，新產品的樣片已經出廠、上電並成功啟動操作係統，預計將在2025年實現量產。

Intel 18A晶圓

此外，這兩項技術也將通過Intel 18A向英特爾代工（Intel Foundry）的客戶提供。Intel 18A的D0缺陷密度低於0.40，顯示出其在晶圓廠中的生產狀況良好，良率表現優秀。今年7月，英特爾還發布了Intel 18A製程設計套件（PDK）的1.0版本，得到了生態係統的積極響應。