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西安郵電大學重點實驗室成功製備高耐壓性能半導體材料
近日，西安郵電大學由電子工程學院管理的新型半導體器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊成功在8吋矽片上製備出了高質量的氧化镓外延片，這一成果標誌著學校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。
團隊負責人陳海峰教授介紹，氧化镓是一種超寬禁帶半導體材料，具有優異的耐高壓與日盲紫外光響應特性，在功率器件和光電領域應用潛力巨大。矽上氧化镓異質外延有利於矽電路與氧化镓電路的直接集成，同時擁有成本低和散熱好等優勢。
新型半導體器件與材料重點實驗室聘請中國科學院院士、微電子學與固體電子學家郝躍院士為首席科學家，團隊師生共30餘人，擁有完整的氧化镓工藝實驗線及超淨工藝間，主要研究超寬禁帶氧化镓材料與器件。團隊在氧化镓材料生長、器件製備、測試表征等方麵具有豐富的科研經驗，承擔國家自然科學基金、陝西省自然科學基金、陝西省教育廳基金資助的多個研究項目，在物理學報、半導體學報、IEEE Electron Device Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Transactions on Electron Devices、Physics Letters A、Nanotechnology、Applied Surface Science、Carbon等發表研究論文100餘篇，授權國家發明專利20餘項。（通訊員 趙梅鏈）
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